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最高振荡频率为46 GHz的GaInP／GaAs异质结双极晶体管
被引量：
2
A f_(max)=46 GHz GaInP/GaAs HBT
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摘要
最高振荡频率为４６ ＧＨｚ的ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管钱峰，陈新宇，肖秀红，姚晓峨，周天舒，潘菁，陈效建（南京电子器件研究所，２１００１６）齐鸣，李爱珍（中科院上海冶金所，２０００５０）Ａｆ＿（ｍａｘ）＝４６ＧＨｚＧａＩｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ...
作者
钱峰
陈新宇
肖秀红
姚晓峨
周天舒
潘菁
陈效建
齐鸣
李爱珍
机构地区
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第3期309-310,共2页
Research & Progress of SSE
关键词
异质结
双极晶体管
半导体器件
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
引文网络
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陈新宇，硕士学位论文，1996年
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Yang Y F，IEEE Trans Electron Devices，1994年，41卷，5期，643页
3
Chang Y H，Solid State Electron，1994年，37卷，7期，1413页
4
Liu W，IEEE Electron Device Lett，1992年，13卷，10期，510页
5
Chen S C，Solid State Electron，1992年，35卷，9期，1311页
6
Hill D G，IEEE Electron Device Lett，1990年，11卷，10期，425页
7
Chan Y J，IEEE Trans Electron Devices，1990年，37卷，10期，2141页
8
Pan N，IEEE Eletron Device Lett，1998年，19卷，4期，115页
9
廖小平,顾世惠,林金庭,魏同立.
AlGaAs/GaAs HBT的低频噪声[J]
.固体电子学研究与进展,1998,18(3):275-279.
被引量：1
引证文献
2
1
廖小平,顾世惠,林金庭,魏同立.
HBT电压控制振荡器的相位噪声[J]
.固体电子学研究与进展,1999,19(3):260-265.
被引量：1
2
陈晓杰,陈建新,陈意桥,彭鹏,李爱珍.
GSMBE生长In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT微结构材料及器件研究[J]
.固体电子学研究与进展,2000,20(4):407-413.
二级引证文献
1
1
廖小平,张中平.
Si/SiGe/Si HBT的直流特性和低频噪声[J]
.电子器件,2003,26(1):22-24.
被引量：1
1
廖小平,顾世惠,林金庭,魏同立.
HBT电压控制振荡器的相位噪声[J]
.固体电子学研究与进展,1999,19(3):260-265.
被引量：1
2
严北平,潘静,蔡克理,章其麟,罗晋生.
重掺碳基区GaInP／GaAs异质结双极晶体管初探[J]
.固体电子学研究与进展,1995,15(3):307-308.
3
向贤碧,廖显伯.
砷化镓基系III-V族化合物半导体太阳电池的发展和应用(9)[J]
.太阳能,2016(2):12-13.
被引量：1
4
王海啸,郑新和,甘兴源,王乃明,杨辉.
Designing of 1 eV GaNAs/GaInAs superlattice subcell in current-matched four-junction solar cell[J]
.Journal of Semiconductors,2016,37(1):51-55.
被引量：2
5
胡晓萍,胡建萍,郑梁,钟叶龙.
一种新的HBT小信号模型参数优化提取法[J]
.电子学报,2010,38(3):567-571.
6
宋檀萱.
中兴通讯:非洲数字电视发展正在加速[J]
.中国数字电视,2012(8):27-27.
7
刘海文,孙晓玮,程知群,车延峰,李征帆.
GaInP/GaAs异质结双极晶体管小信号模型参数提取的新方法[J]
.物理学报,2003,52(9):2298-2303.
被引量：4
8
陈新宇,林金庭,陈效建.
S波段低相位噪声HBT MMIC VCO[J]
.固体电子学研究与进展,1996,16(1):85-85.
9
Zhuo DENG,Jiqiang NING,Rongxin WANG,Zhicheng SU,Shijie XU,Zheng XING,Shulong LU,Jianrong DONG,Hui YANG.
Influence of temperature and reverse bias on photocurrent spectrum and supra-bandgap spectral response of monolithic GalnP/GaAs double-junction solar cell[J]
.Frontiers of Optoelectronics,2016,9(2):306-311.
10
向贤碧,廖显伯.
砷化镓基系Ⅲ-V族化合物半导体太阳电池的发展和应用(8)[J]
.太阳能,2016(1):10-11.
固体电子学研究与进展
1995年 第3期
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