重掺碳基区GaInP／GaAs异质结双极晶体管初探

A Study of GaInP/GaAs-HBT with a Heavily C-doped Base

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摘要重掺碳基区ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管初探严北平，潘静，蔡克理，章其麟，罗晋生（西安交通大学电子工程系，７１００４９）（河北半导体研究所，石家庄，０５００５１）ＡＳｔｕｄｙｏｆＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ－ＨＢＴｗｉｔｈａＨｅａｖｉｌｙＣ－ｄｏｐｅｄ...

作者严北平潘静蔡克理章其麟罗晋生

机构地区西安交通大学电子工程系

出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期307-308,共2页 Research & Progress of SSE

关键词双极晶体管半导体 GaInP/GaAu 异质结掺碳

分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]

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固体电子学研究与进展

1995年第3期

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