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重掺碳基区GaInP/GaAs异质结双极晶体管初探
A Study of GaInP/GaAs-HBT with a Heavily C-doped Base
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摘要
重掺碳基区GaInP/GaAs异质结双极晶体管初探严北平,潘静,蔡克理,章其麟,罗晋生(西安交通大学电子工程系,710049)(河北半导体研究所,石家庄,050051)AStudyofGaInP/GaAs-HBTwithaHeavilyC-doped...
作者
严北平
潘静
蔡克理
章其麟
罗晋生
机构地区
西安交通大学电子工程系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第3期307-308,共2页
Research & Progress of SSE
关键词
双极晶体管
半导体
GaInP/GaAu
异质结
掺碳
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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固体电子学研究与进展
1995年 第3期
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