X射线光刻技术

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摘要 X射线光刻技术是利用比可见光波长短1～2个数量级的软X射线为光源进行曝光的技术.目前已开发出两种方式.一种是将掩模和晶片置于数十微米以内的近帖间距内,以波长1nm左右的软X射线为光源对掩模和晶片进行1:1曝光的等倍近贴曝光方式.另一种是以波长10nm左右的软X射线为光源,通过多层膜反射镜的光学系统进行曝光的缩小投影曝光方式.图1为这两种X射线光刻方式的分辨极限示意图.

作者麻壮华

出处《光机电信息》 1995年第12期3-6,共4页 OME Information

关键词 X辐射光刻技术曝光技术

分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]

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