硅的高压氧化

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摘要本文介绍了我们自行设计和制作的不锈钢高压室式的微处理机自动控制的高压氧化炉的外形、结构、参数和氧化膜的性质,并从氧化膜的厚度对时间的关系曲线讨论了高压氧化所遵循的规律.

作者张爱珍

机构地区北京半导体器件研究所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期47-51,共5页 Semiconductor Technology

关键词硅高压氧化氧化膜微机控制

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半导体技术

1989年第3期

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