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1.3μm量子阱LD的工艺研究和特性分析
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摘要
1.3μm量子阱LD的工艺研究和特性分析金锦炎,李同宁,刘涛,李云樵,王任凡,刘自力(武汉电信器件公司)1引言1.3μm波长激光器作为光通信光源,正由有致冷向无致冷转化。量子阱激光器阈值电流低、温度特性好,因此是无致冷激光器的最佳选择[1~2]。我们...
作者
金锦炎
李同宁
刘涛
李云樵
王任凡
刘自力
机构地区
武汉电信器件公司
出处
《光通信研究》
1995年第2期53-54,共2页
Study on Optical Communications
关键词
量子阱LD
激光器
工艺
半导体激光器件
分类号
TN365 [电子电信—物理电子学]
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光通信研究
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