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适于单片集成光发射机制作的正装GaAlAs/GaAsBH激光器

A GaAlAs/GaAs BH Laser Applied to OFLC Fabrication
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摘要 本文研究了一种用于单片集成光发射机而制作的正装SI衬底上的GaAIAs/GaAsBH激光器.其制造工艺简单,全部结构由两次外延形成.目前条宽6~8μm,腔长250μm的BH激光器已实现了室温连续工作,典型阈值电流为40~50mA,最低阈值电流为28mA。 In this paper,a GaAlAs/GaAs BH laser on SI substrate applied to OFIC fabrication is studied.The process of fabrication is simply. All the stuctures are formed by two epitaxies.A BH laser with strip width 6-8μm and cavity length 250 μm has relized CW operation. The typical threshold current is 40 ̄50mA,and the lowest threshold current is 28 mA.
出处 《广西工学院学报》 CAS 1995年第1期55-58,共4页 Journal of Guangxi University of Technology
关键词 激光器 集成 光发射机 镓铝砷 砷化镓 GaAlAs/GaAs BH laser OFIC fabrication SI substrate
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