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Al/a-Si:H肖特基势垒效应
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摘要
利用辉光放电分解SiH_4的方法制备了三种不同的Al/a-Si:H肖特基势垒结构样品,并测试了它们的I-V和C-V特性.从I-V曲线得到开启电压为0.32V,双肖特基结构的高频C-V特性显示出在高偏压下异常.
作者
惠恒荣
胡思福
高正新
马元良
何兴福
机构地区
成都电讯工程学院
七三九半导体材料研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第4期34-35,4,共3页
Semiconductor Technology
关键词
AI
A-SI:H
肖特基势垒
二极管
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
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