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Al/a-Si:H肖特基势垒效应

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摘要利用辉光放电分解SiH_4的方法制备了三种不同的Al/a-Si:H肖特基势垒结构样品,并测试了它们的I-V和C-V特性.从I-V曲线得到开启电压为0.32V,双肖特基结构的高频C-V特性显示出在高偏压下异常.

作者惠恒荣胡思福高正新马元良何兴福

机构地区成都电讯工程学院七三九半导体材料研究所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期34-35,4,共3页 Semiconductor Technology

关键词 AI A-SI:H 肖特基势垒二极管

分类号 TN311.7 [电子电信—物理电子学]

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半导体技术

1989年第4期

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