休斯研究实验室的等离子体离子植入技术

在休斯研究实验室（ＨＲＬ）的等离子体离子植入（ＰＩＩ）项目的一个主要目的是评价和应用ＰＩＩ技术，以改进在航空航天、防御和工业应用中的金属和非金属材料的摩擦性能。ＨＲＬ ＰＩＩ设备包括一个直径４ｆｔ长度８ｆｔ的真空室（能植入重达７０００Ｉｂ的物体）和一个提供植入脉冲电压的高功率（１００ｋＷ）、高电压（１００ｋＶ）脉冲调制器。已研制了先进的等离子体源来产生原子及分子的氮和氧离子。