MgO单晶在低应力下沿〈100〉轴的高温蠕变

在1575℃至1725℃的温度范围内,3至10MPa的压应力下,对MgO单晶沿〈100〉荷重轴的蠕变特性进行了研究。人们发现,MgO的单晶具有一种S形的蠕变特性可用Haasen的理论来加以阐明。位错倍增是造成初始变形阶段蠕变速率提高的原因,涉及一些位错相互作用。据测定结果,在S形的蠕变曲线拐点上的应力指数为3.4左右,而在稳定状态下接近2.2.在稳定状态的蠕变特性主要与在两个互相垂直的连接的〈110〉〈100〉滑移系统中的位错移动相关。在两个相互垂直平面之间{110}所产生的位错交叉点是滑移的主要障碍。稳定状态下的变形是由位错的滑移造成的,而这种位错的滑移大小取决于上升的运动。本文对蠕变时形成的位错次结构进行了研究,并对其变形机理进行了探讨。