全离子注入平面型锗光电探测器(Ge-PD)的暗电流-温度特性

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摘要本文从理论上计算了未封装的φ90μmGe-PD的暗电流随温度的变化率小于0.10/℃,实验结果与计算值基本相符.指出了该温度特性优于同等结构的硅器件;用环氧树脂耦合封装的Ge-PD,其暗电流随时间变化率大于未封装的器件管芯.封装材料和方法对器件温度稳定性有重要影响.

作者丁国庆

机构地区武汉邮电科学研究院器件所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第5期24-28,共5页 Semiconductor Technology

关键词离子注入锗光电探测器温度特性

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半导体技术

1989年第5期

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