InSb材料和电荷注入器件的发展

InSb作为一种重要的中波红外(λ=3～5μm)探测器材料已有几十年的历史了。本文简要回顾了通用电气公司的InSb电荷注入器件技术,其重点放在作为材料参数的函数的器件性能上。还讨论了一种采用液相外延技术的新的InSb材料。液相外延生长技术改善了InSb的材料参数,并使少子寿命增加2个数量级以上,接近俄歇极限。最后对现有的体材料和外延材料的参数进行了比较。