硅片在快速热处理系统中的温度测量

国外为了提高计算机硅片的集成度和产品的合格率，开展了硅片快速热处理的研究，在这项新技术中温度测量起着关键的作用。由于在快速热化学蒸汽沉积过程中，硅片表面发射率变化影响了测温的准确性。本文介绍了在用辐射法测温时，同时测辐射量和反射率2个参数，然后由反射率计算发射率，通过计算机对测量结果进行补偿的新技术。并介绍了原理、实验设备和初步实验结果。