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半导体器件的过应力损伤
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摘要
半导体器件的过应力损伤问题是危害电子产品可靠性的首要问题。过应力损伤包括电过应力损伤、机械过应力损伤和过高温度损伤。为减少半导体器件在使用现场发生失效,提高经济效益,详细地介绍了半导体器件在使用过程中易发生的过应力损伤。
作者
邓永孝
机构地区
西安微电子技术研究所
出处
《航天工艺》
1995年第3期19-21,43,共4页
关键词
半导体器件
过应力损伤
失效
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
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半导体器件的“过应力”损伤[J]
.微处理机,1996(1):15-18.
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