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薄栅氧化层的氮化
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摘要
采用对薄栅氧化层在纯NH3中氮化的技术,通过膜的击穿场强、表面电荷、抗腐蚀性和氮化膜中元素的百分浓度的检测对氧化样品进行分析,经过实验得到了稳定性和电特性都较好的薄栅介质,其中栅氧化层的平均击穿场强可达到13MV/cm。
作者
林满院
孙有民
沈文正
机构地区
西安微电子技术研究所
出处
《航天工艺》
1995年第3期8-10,共3页
关键词
薄栅氧化层
氮化
氮化膜
半导体薄膜
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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