集成电路铝金属化系统电迁移失效机理研究被引量：1

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摘要本文研究了国产中规模集成电路铝金属化系统电迁移失效机理以及磷硅玻璃(PSG)和聚酰亚胺钝化层对铝条失效行为的影响,并对铝条的形貌进行了扫描电镜观察和分析。实验测得铝条电迁移失效激活能为0.48eV。

作者何涛吴廉亿雷祖圣

机构地区北京材料工艺研究所

出处《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 1989年第2期39-44,共6页 Aerospace Materials & Technology

关键词集成电路铝条金属化电迁移失效

参考文献1

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宇航材料工艺

1989年第2期

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