砷化镓离子注硅用不同退火方法退火后的光荧光特性研究

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摘要本文对砷化镓离于注硅用SiO_2和Si_3N_4包封及无包封退火后的样品作了低温光荧光测量,发现这三种样品测得的光荧光谱有很大差别.荧光测量结果很好地说明了这些样品电学性能不同的原因.

作者张丽珠张伯蕊罗海云

机构地区北京大学物理系机电部十三所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期14-17,共4页 Semiconductor Technology

关键词砷化镓离子注入硅退火荧光光谱

分类号 TN430.2 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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半导体技术

1989年第6期

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