渐变组分a—Si:H/a—SiC:H膜及其在台面型硅器件上的钝化应用

导出

摘要本文报道了一种新型的非晶钝化膜——渐变组分a-Si:H/a-SiC:H膜在功率器件表面上的钝化应用,研究了该渐变膜的性质和钝化机理.实验结果表明:采用此膜对台面型晶体管进行二次钝化,可使击穿电压显著提高,反向漏电流降低一个量级,抗沾污能力增强;经该膜直接钝化的3CT100A可控硅,击穿电压可达1500伏.

作者马瑾宋学文陆大荣

机构地区山东大学物理系青岛大学物理系

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期19-22,28,共5页 Semiconductor Technology

关键词 A-SI:H a-SiC:H 薄膜硅器件

分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

参考文献2

1王印月,张仿清,陈光华.∶H薄膜的隙态密度[J]兰州大学学报,1985(02).
2蒋翔六,张仿清,李敬超,杨斌,杨映虎,陈光华.用CH_4—H_2直流弧光放电CVD法高速合成金刚石薄膜[J].兰州大学学报（自然科学版）,1989,25(3):163-164. 被引量：1

1李苗,吕善伟,张江林,张磊.一种新的用于DS/CDMA系统的多级盲空时多用户接收机[J].电子学报,2004,32(9):1553-1555. 被引量：1
2张晓丹,赵颖熊,绍珍.薄膜太阳电池系列讲座(14) 硅基薄膜太阳电池(六)[J].太阳能,2012(13):17-19.
3Qlogic备受战略合作伙伴信赖[J].计算机与网络,2010,36(3):148-148.
4周亚训,王晓东.温度和电场对a-SiC:HTFLED发光亮度的影响[J].半导体光电,2000,21(1):71-72. 被引量：2
5宋学文,陆大荣,宗福建.a-SiC:H/a-Si:H复合膜对半导体器件钝化作用的研究[J].山东大学学报（自然科学版）,1989,24(1):44-48.
6康耀辉,徐筱乐,高建峰,陈辰.100nm GaAsMHEMT器件研制[J].固体电子学研究与进展,2012,32(6):548-550.
7丁颖,王圩,阚强,王宝军,周帆.基于渐变组分体材料InGaAs的宽带长波长超辐射二极管(英文)[J].Journal of Semiconductors,2005,26(12):2309-2314.
8胡志华,廖显伯.非晶硅碳(a-SiC∶H)薄膜光学常数的透射谱表征[J].Journal of Semiconductors,2005,26(1):34-37. 被引量：6
9张健,王磊,王维波,程伟,康耀辉,陆海燕,李欧鹏,谷国华,王志刚,徐锐敏.W波段单片低噪声放大器[J].微波学报,2014,30(S1):113-115. 被引量：1
10陈培力,朱冰,白贵儒.a-SiC:H/pin势阱结构可见光电注入发光[J].发光学报,1990,11(1):69-74. 被引量：1

半导体技术

1989年第6期

浏览历史

内容加载中请稍等...

渐变组分a—Si:H/a—SiC:H膜及其在台面型硅器件上的钝化应用

参考文献2

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史