渐变组分a—Si:H/a—SiC:H膜及其在台面型硅器件上的钝化应用

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摘要本文报道了一种新型的非晶钝化膜——渐变组分a-Si:H/a-SiC:H膜在功率器件表面上的钝化应用,研究了该渐变膜的性质和钝化机理.实验结果表明:采用此膜对台面型晶体管进行二次钝化,可使击穿电压显著提高,反向漏电流降低一个量级,抗沾污能力增强;经该膜直接钝化的3CT100A可控硅,击穿电压可达1500伏.

作者马瑾宋学文陆大荣

机构地区山东大学物理系青岛大学物理系

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期19-22,28,共5页 Semiconductor Technology

关键词 A-SI:H a-SiC:H 薄膜硅器件

分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]

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半导体技术

1989年第6期

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