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反应室结构与工艺参数对光CVD SiO_2薄膜均匀性的影响 被引量:1

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摘要 本文从反应室的几何结构出发初步讨论了气体流型对光CVD SiO_2薄膜均匀性的影响并初步讨论了反应室压力、气体流量对光CVD SiO_2薄膜均匀性的影响.
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期25-28,共4页 Semiconductor Technology
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参考文献1

  • 1谢夏云.气体流型对硅外延层厚度均匀性的影响[J]半导体技术,1987(02).

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