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反应室结构与工艺参数对光CVD SiO_2薄膜均匀性的影响
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摘要
本文从反应室的几何结构出发初步讨论了气体流型对光CVD SiO_2薄膜均匀性的影响并初步讨论了反应室压力、气体流量对光CVD SiO_2薄膜均匀性的影响.
作者
景俊海
孙青
孙建诚
付俊兴
机构地区
西安电子科技大学物理系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第6期25-28,共4页
Semiconductor Technology
关键词
CVDSiO2
薄膜
均匀性
反应室
工艺
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
1989年 第6期
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