多晶侧壁LDD CMOS工艺技术

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摘要 LDD结构的形成技术基本上有三种类型:双注入、侧壁掩膜注入及隐埋注入.本文采用多晶硅作侧壁掩膜注入方法形成LDD结构,多晶硅采用SF_σ+Ar进行反应离子刻蚀而成.最后成功地试制了栅宽为2μm的CMOS环振和栅宽为2.5μm的CMOS300门阵列,得到了比较满意的结果.

作者彭忠献

机构地区国营韶光微电子总公司

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第6期29-32,共4页 Semiconductor Technology

关键词 LDD CMOS 集成电路工艺掺杂

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半导体技术

1989年第6期

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