用原子层外延选择生长法制造GaAs／GaAsP矩形量子线结构

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摘要用原子层外延选择生长法制造ＧａＡｓ／ＧａＡｓＰ矩形量子线结构１．前言为了制造半导体低维量子结构，就必须控制它的微细结构。普通方法之一是选择生长法［１，２］。这是在进行选择生长时，增大面方位的生长速度差。即必须有选择生长任意结晶面方位的晶体生长技术（面...

作者赵伯林林礼煌

出处《激光与光电子学进展》 CSCD 1995年第12期13-15,共3页 Laser & Optoelectronics Progress

关键词外延生长半导体材料原子层量子线结构

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激光与光电子学进展

1995年第12期

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