PtSi／p—Si红外探测器的优化设计与制作被引量：1

Optimal Design and Manufacture of PtSi/p-Si IR Detector

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摘要本文对ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ红外探测器的结构进行了优化设计，并研制成功性能优良的器件。反向击穿电压达１８０Ｖ。在７７Ｋ下，反偏４Ｖ的漏电为５×１０－６μＡ，对１．５２μｍ的红外光，量子效率为２．４％。

作者李国正李道全

机构地区西安交通大学电子工程系

出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1995年第5期46-47,共2页 Laser & Infrared

基金国家863资助项目

关键词铂硅红外光红外探测器

同被引文献1

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激光与红外

1995年第5期

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