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富士通和爱普生联合开发FRAM存储器
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摘要
富上通公司和精工爱普生公司近日宣布.双方已签署协议将联合开发下一代铁电随机存储器(FRAM)非易失存储器技术。
出处
《世界电子元器件》
2005年第7期i005-i005,共1页
Global Electronics China
关键词
非易失存储器技术
精工爱普生公司
联合开发
FRAM
富士通
铁电随机存储器
协议
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
V275.1 [航空宇航科学与技术—飞行器设计]
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富士通与爱普生将开发下一代FRAM[J]
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2
富士通和爱普生宣布将联合开发下一代FRAM非易失存储器技术[J]
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3
富士通和爱普生宣布将联合开发下一代FRAM技术[J]
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4
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FRAM将成为新一代非易失存储器技术[J]
.电子与电脑,2002(12):148-148.
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肖月宁.
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世界电子元器件
2005年 第7期
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