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一种高增益低噪声混频器的设计

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摘要 本文设计了一种高增益低噪声混频器,提出了一种新的吉尔伯特混频器负载级电路。该混频器在3.3V工作电压下,基于Chartered0.25μm标准CMOS工艺设计模型进行仿真验证,优化结果表明,该混频器的增益达到9.02dB,噪声系数为8.88dB,谐波失真降低为-17.29dB。
出处 《中国集成电路》 2005年第8期37-40,共4页 China lntegrated Circuit
  • 相关文献

参考文献4

  • 1[1]Behzad Razavi. 《Design of Analog CMOS Integrated Circuits》Page106
  • 2[2]Manolis T. Terrovitis, Student Member, IEEE, and Robert G. Meyer, Fellow, IEEE, "Noise in CurrentCommutating CMOS Mixers". IEEE Journal of SolidState Circuits, VOL. 34, NO. 6, June 1999
  • 3[3]Thomas H. Lee. 《The Design of CMOS RadioFrequency Integrated Circuits》 Page207~Page210
  • 4[4]Yannis E. Papananos 《Radio-Frequency Microelectronic Circuits for Telecommunication Applications》 Page 89

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