化合物微波半导体器件

本文评述化合物微波半导体器件的现状和未来发展。对几种主要的微波器件的原理和结构作了描述。虽然,GaAs基器件无疑占据微波器件的主导地位,但InP基器件也有了重大进展。最近几年化合物微波器件主要沿着如下五个方向进展:(1)更高频高速;(2)更大功率;(3)更低噪声;(4)MMIC和VHSIC;(5)OEIC。与此同时,微波两端器件如Mixer二极管、IMPATT和TED等在毫米波和亚毫米波段仍然是重要的,而GaAsMESFET、MODFET(HEMT)和HBT在微波毫米波器件的研究和发展中更为活跃,三端器件将有希望工作到100GHz。随着InP基工艺技术的成熟,将很快可见到微波和光电子的相互结合。由于MBE和MOCVD的特有能力,可生长原子级平整的超薄层及高质量的三元或四元多层材料而涌现出很多新型器件:PHEMT、HET、RBT、PDB等等。以“能带工程”为基础的微结构研究最终将引导化合物微波器件的新纪元。