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茂德成功试产90纳米DRAM晶圆

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摘要 茂德科技首批以90纳米堆栈式(stcked)制程技术投产的512Mb DDR12寸晶圆,已于日前正式产出,平均良率均超过60%以上,显示中科12寸厂现有生产线已具量产能力。由于中科12寸厂建置速度较预期中快,因此茂德也决定,明年首季月产能将拉高至5000片,明年下半年就可达30000片规模。
出处 《集成电路应用》 2005年第8期18-18,共1页 Application of IC
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