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意法半导体第二代MDmesh高压功率MOSFET技术

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摘要 意法半导体(ST Microelectronics)推出第一批采用该公司独有的MDmeshTM高压功率MOSFET第二代技术制造的半导体元器件。新产品特别适合开关电源(SMPS)、功率因数校正器(PFC)和电源适配器。与第一代Mdmesh产品相比,新一代产品的效率明显提升,在新的电源转换器设计中,能够大幅度降低成本,提高系统可靠性。ST的MDmesh(多重漏极网格)工艺的出色性能源自一种创新的漏极结构,漏极是由隔离物组成的阵列结构,纵向的P-型漏极条作为漏极体的延伸,沿很薄的水平n-型源极条排列。
出处 《电子产品世界》 2005年第08B期49-49,共1页 Electronic Engineering & Product World
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