硅表面金属纳米线形成机理研究取得新进展

物理研究所王建涛等与他们的日本合作者，近年来系统地研究了半导体Si（001）表面Bi纳米线的结构稳定性。最近，他们又系统地研究了第V族元素（Bi、Sb）在si表面上形成“5—7—5double-core odd-membered ring”纳米线的机理，提出了“Dynamic Ad—Dimer Twisting Assisted Nanowire Self-Assembly”新模型，揭示了表面吸附原子（活性剂）和衬底之间的反应机制。