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MgB_2超导膜:几种制备方法和样品性质表征 被引量：3

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摘要 分别利用化学气相沉积、脉冲激光沉积和电泳技术在氧化物单晶基片MgO(111)和c-Al2O3上制备了MgB2超导薄膜和厚膜.所制备的样品均为c轴取向生长或c轴织构生长.三种方法制备的样品的零电阻转变温度分别为38,38.4和39 K.薄膜的临界电流密度在15 K,0T时高达107A/cm2,达到了目前国际报道的最好水平.薄膜的微波表面电阻Rs在10 K,18 GHz下约为100 μΩ,可以和高质量的YBCO薄膜的Rs值相比拟.
作者 王淑芳 周岳亮 朱亚彬 陈正豪 吕惠宾 杨国桢
机构地区 河北大学物理科学与技术学院 光物理开放实验室北京凝聚态物理国家实验室&中国科学院物理研究所
出处 《自然科学进展》 北大核心 2005年第8期1007-1010,共4页
基金 国家重点基础研究发展规划资助(批准号:199064604)
关键词 MgB2超导膜 制备方法 化学气相沉积 脉冲激光沉积 电泳现象
分类号 O658.12 [理学—分析化学] O648.123 [理学—物理化学]
  • 相关文献

参考文献17

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同被引文献86

引证文献3

二级引证文献7

自然科学进展
2005年 第8期

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