一种新型纳米电子材料

氮化硼（BN）作为宽带隙材料具有优异的物理性质和良好的化学惰性，是制作高可靠性器件与电路的理想电子材料之一。与碳纳米管的电子结构明显依赖于管径与螺旋度等因素不同，BN纳米管通常表现出稳定一致的电学特性，在未来的纳电子学领域有着非常诱人的应用前景。而实现BN纳米管的掺杂，诱导其半导体特性，是实现该材料在纳米电子学领域应用的关键，也是研究者普遍感兴趣和追求目标。