碳化硅的XPS和AES分析

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摘要分三部分介绍了 N 型单晶硅底材,经高能电子束辐照掺碳后的表面区和 N 型六角晶体碳化硅(n-6HSiC)样品用 X 射线光电子谱及俄歇电子谱所作表面组分及化合态的分析测试过程,给出了测试结果,并对结果作了简单分析讨论。初步结果预示了电子辐照实现表面碳化、氧化的可能性.

作者于志战

机构地区兰州物理研究所

出处《真空与低温》 1989年第4期14-16,共3页 Vacuum and Cryogenics

关键词碳化硅分析仪器表面分析

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真空与低温

1989年第4期

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