ECR 等离子体处理技术

超大规模集成电路已经进入了运用亚微细粒加工技术的阶段,今后微细化还会有进一步发展。以存储器为代表的元件使用电压虽然同过去一样保持5伏不变,但微细化的进展使加工技术上的各种制约条件更加严格了。例如蚀刻的栅绝缘膜厚发展到100埃左右,若进行更厚的多晶硅栅电极加工,对选择幅度及低损伤加工的要求将会愈加严格。而化学汽相沉积技术成膜时则要求低温化,低损伤化以及平坦化沉积(良好的台阶高差复盏性能)等。