LSI逻辅90纳米制程RapidChip平台ASICs突破密度/性能界限

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摘要 LSI逻辑近日宣布：计划采用本公司G90（90纳米）工艺生产下一代RapidChip平台ASIC系列产品。新的硅片将为系统设计师提供90纳米制程最大的集成度及性能优势，并提供RapidChip平台ASIC技术所拥有的快速上市、NRE支出减少、工程成本降低等优势。RapidChip G90系列产品使设计工程师可利用平台ASIC技术的优势，广泛用于包括通信、存储、工业、医疗、国防和高端消费电子等在内的应用系统。

出处《电子与电脑》 2005年第8期148-148,共1页 Compotech

关键词 LSI逻辑公司芯片制造工艺 ASIC技术内存资源

分类号 TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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