n^+n^-n^+ GaAs二极管的蒙特卡罗模拟

Monte Carlo Simulation for n^+n^-n^+——GaAs Diode

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摘要用多粒子的蒙特卡罗方法,模拟了n+n-n+GaAs二极管中的各种散射机制和其中载流子的运动状态。 An approach of Ensemble Monte Carlo Simulation for n^＋n^-n^＋GaAs Diode is used to simulate all kinds of scattering mechanisms and the dynamic state of carriers.

作者陈茜王锦荣罗子江

机构地区贵州大学电子科学系贵州大学数学系

出处《贵州大学学报（自然科学版）》 2005年第3期239-243,共5页 Journal of Guizhou University:Natural Sciences

关键词蒙特卡罗方法模拟散射 n^+n^-n^+GaAs二极管 Monte Carlo Method, Simulation, Scattering,n^＋n^-n^＋GaAs Diode

分类号 O242.1 [理学—计算数学]

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