半导体陶瓷边界层电容器的性能极限和设计

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摘要半导体陶瓷边界层电容器因其优异的物理性能而受到广泛重视.但自60年代初发明BaTiO3半导瓷边界层电容器以来,边界层电容器的物理性能一直没有定量的理论描述,使得器件的设计和制造始终存在许多问题.由晶界势垒模型对半导体陶瓷边界层电容器的物理性能及其极限作定量分析、对边界层电容器的性能作出设计并对提高性能的方法进行探讨.

作者郑振华陈羽缪容之

机构地区宁波大学物理系

出处《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期187-189,共3页 Chinese Science Bulletin

基金浙江省教育委员会资助项目

关键词半导体陶瓷边界层电容器电容器物理性能

分类号 TM534.1 [电气工程—电器]

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