摘要
Lp─MOCVD生长InAlAs量子阱结构材料崔敬忠,甘润今,陈光华,张仿清(兰州大学物理学系,兰州730000)杨树人,刘宝林,陈伯军,刘式墉(国家集成光电子学联合实验室,吉林大学实验区,长春130023)与InP匹配的In0.52Al0.48As...
出处
《兰州大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第1期120-121,共2页
Journal of Lanzhou University(Natural Sciences)
基金
国家集成光电子学联合实验室资助