进入新阶段的IGBT

作为双极型功率MOSFET的IGBT(绝缘栅双极晶体管)即将进入正式实用期,其研究开发也已到了追求极限性能的阶段。在形成沟道的阴极侧使用自对准技术来实现微细化、并使导通电压下降。在阳极-发射极采用短路结构,缩短了关断时间。另外,即使不进行缩短寿命的控制,也能做出40kHz高速工作的功率IC用的横向型IGBT。