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进入新阶段的IGBT
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摘要
作为双极型功率MOSFET的IGBT(绝缘栅双极晶体管)即将进入正式实用期,其研究开发也已到了追求极限性能的阶段。在形成沟道的阴极侧使用自对准技术来实现微细化、并使导通电压下降。在阳极-发射极采用短路结构,缩短了关断时间。另外,即使不进行缩短寿命的控制,也能做出40kHz高速工作的功率IC用的横向型IGBT。
作者
钱小工
出处
《半导体情报》
1989年第6期22-24,53,共4页
Semiconductor Information
关键词
IGBT
绝缘栅
双极晶体管
晶体管
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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半导体情报
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