测量元器件击穿电压的方法

击穿电压是电子元器件的重要参数,例如晶体三极管的反向击穿电压BV_(ceo),可控硅的正向转折电压U_(BO),等等。测量这些参数,就能判断元器件的好坏以及允许工作的范围。通常所说的击穿实际上有两种:一种是软击穿,另一种是硬击穿。软击穿仅仅表示元器件处于击穿状态,尽管击穿电压较高,但电流却很小,未达到管子的最大允许功耗,当击穿电压撤去后,管子仍能恢复正常工作,因此软击穿具有可逆性。而硬击穿是由于超过管子的最大允许功耗而造成的,引起了元器件的永久性破坏,故具有不可逆性。防止硬击穿的办法是采取限流保护措施,不让电压和电流同时超过极限值。