GaAsMESFET漏极雪崩击穿

采用双载流子模型的二维(2D)数字计算模拟了GaAsMESFET的雪崩击穿。模拟中包括了由碰撞电离而产生的电子-空穴对,而且还采用了GaAs表面耗尽层的简单模型。本文论证了栅偏置与击穿电压的关系,说明了表面耗尽层、漏到栅间距和漏接触下n^+层对击穿电压的影响,现已弄清表面耗尽层对栅偏置与击穿电压关系有明显的影响。根据半绝缘衬底的电导率调制解释了击穿机理。