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利用静止畴原理制作的高灵敏度新型GaAs Hall器件

A New High Sensitivity GaAs Hall Devices Fabricated by means of Stationary Domain Model
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摘要 本文用计算机模拟分析了GaAs Hall器件的工作原理,当体内出现静止畴并扩展到Hall器件的电压端时,器件输出阻抗增加,Hall器件的灵敏度相应提高一个数量级;获得高灵敏度的静止畴型的GaAs Hall器件;在实验上证实了这一结果.这种新工作模式的器件将能得到更广泛的应用. The opration primciple of the stationary domain in GaAs Hall devices has been in-vestigated by using computer simulation.The output impendance of the devices will inc-rease and the sensitivity of Hall devices will be correspondingly enhanced by one order ofmagnitude when the stationary domain occurs n the bulk and extends to the voltage controlterminal.A new Hall device operating at tthe stationary domain model has been fabricatedand the new devices will be widely used
作者 郑一阳
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期67-71,共5页 半导体学报(英文版)
关键词 Hall器件 静止畴模式 GAAS GaAs Hall Devices High Sensitivity Stationary Domain Model
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参考文献2

  • 1郑一阳,半导体学报,1985年,6卷,469页
  • 2郑一阳,半导体学报,1985年,6卷,475页

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