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SI^-、n-GaAs正电子湮没特性的研究 被引量:1

Study of Positron Annihilation Characteristics in SI-n-GaAs
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摘要 用正电子湮没技术,研究了半绝缘(SI)和掺Te的n型GaAs的退火行为及外延工艺的影响.结果表明,GaAs的平均寿命τ_M,长寿命τ_2,和基块寿命τ_b依赖于掺杂,同时τ_2的变化与镓空位和多镓空位均有关.外延后,由于退火的效果,I_2的降低和τ_2的增加是明显的.文中还讨论了电子和中子辐照的影响. Using the positron annihilation technique, the annealing behavior and the effects of epi-taxy process for SI-GaAs and n-GaAs:Te have been studied.The results show that themean lifetime τ_M,the long lifetime τ_2 and the bulk lifetime τ_b of GaAs depend upon doping,as well as the changes of τ_2 are related to both Ga-vacancy and multi-Ga-vacancy.Afterepitaxy process, the decrease in the values of I_2 and the increase in the values of τ_2 are ob-vious.The influence of electron and neutroa irradiation has also been discussed.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第1期18-23,共6页 半导体学报(英文版)
关键词 GAAS 正电子湮没 寿命 GaAs Positron annihilation technique Long lifetime component Mean li-fetime Bulk lfetime vacancy type defects Muulti-Ga-vacancy
  • 相关文献

同被引文献5

  • 1陈志权,第六届全国正电子湮没会议文集,1996年,145页
  • 2李安利,第六届全国正电子湮没会议文集,1996年,138页
  • 3陈诺夫,中国科学.A,1996年,26卷,12期,1117页
  • 4Yu K M,J Appl Phys,1992年,72卷,2期,850页
  • 5刘键,王佩璇,柯俊,朱沛然,扬峰,殷士端.中子辐照GaAs的沟道卢瑟福背散射研究[J].Journal of Semiconductors,1998,19(9):672-677. 被引量:1

引证文献1

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