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用气相传输法生长C_(60)单晶

Vapor Transport Growth of C_(60)Single Crystals
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摘要 本文采用气相传输方法,以氦气作为传输载体,生长了线度为毫米量级的C_(60)单晶体。X射线衍射分析结果证明,该单晶为fcc结构,晶格常数为1.4149nm。分析表明,C_(60)晶体的形核方式与金属形核类似,其生长方式为台阶式生长。 A vapor transport technique with a flowing helium gas carrier has been used to produce high quality C_(60) single crystals with size of millimeters,X-ray diffraction result indicated that the crystal is the face-centered cubic(fcc)structure with lattice parameter of 1.4149nm. The nucleation of C_(60) crystals is similar to that of metals and it is considered to be as step growth.
机构地区 清华大学
出处 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1995年第1期5-9,共5页 Journal of Synthetic Crystals
关键词 晶体生长 单晶 气相传输 碳60 C vapor crystal growth C_(60) single crystal vapor transport
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参考文献1

  • 1Liu J Z,Appl Phys Lett,1993年,62卷,531页

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