1.06μmNd:YAG激光脉冲辐照LiF晶体所引起的损伤和位错场结构研究被引量：1

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摘要研究了1.06μmNd:YAG脉冲激光辐照LiF晶体在表面和体内所引起的损伤形貌以及在辐照位置周围的位错分布.这些位错是由于辐照位置处样品中存在的包裹物等杂质引起的不均匀吸收而产生的.

作者周江乔景文邓佩珍

机构地区中国科学院上海光机所

出处《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第7期432-434,共3页 Chinese Journal of Lasers

关键词 ND:YAG 激光脉冲辐照 LIF 晶体

分类号 TN244 [电子电信—物理电子学]

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参考文献3

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中国激光

1989年第7期

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