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被动锁模产生半导体激光PS超短脉冲被引量：2

Picosecond ultra-short optical pulεes generated by passive mode locking of semiconductor lasers

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摘要本文报道利用质子轰击激光二极管端面产生可饱和吸收层,实现半导体激光被动锁模,获得12.9ps光脉冲的实验,并讨论轰击深度和外腔长度对锁模脉冲的影响.

作者吴松高以智

机构地区清华大学无线电系

出处《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第12期705-709,713,共6页 Chinese Journal of Lasers

关键词被动锁模自相关半导体激光器

分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]

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同被引文献1

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引证文献2

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2邱昆,高以智,周炳琨.长波长1.3μm InGaAsP/InP外腔主动锁模半导体激光器[J].激光与红外,1991,21(5):54-56.

二级引证文献3

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2朱江峰,刘凯,李江,王军利,于洋,汪会波,高子叶,谢腾飞,李超宇,潘裕柏,魏志义.Diode-pumped passively mode-locked sub-picosecond Yb:LuAG ceramic laser[J].Chinese Physics B,2017,26(5):204-208.

中国激光

1989年第12期

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