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二氧化锡材料气敏机理的研究 被引量:10

Study of Sensing Mechanism of Gas Sensitive SnO_2
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摘要 本文建立了氧离子陷阱势垒模型来说明多晶SnO_2材料的导电机制与气敏机理,推导出了不同情况下SnO_2灵敏度与还原性气体浓度的关系,以及影响该灵敏度的结构参数.实验结果表明,提出的模型能较好地解释SnO_2材料的各种气敏特性. An oxygen-ion-trap potential model is developed to illustrate the mechanism of the con-ductivity and gas sensibility of polycrystalline SnO_2.The relationship between the sonsitivityand the concentration of reductive gases and the parameters that affect the sensitivity,arealso given.The experimental results have shown that the model can better explain the sen-sing characteristics of SnO_2.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第2期124-131,共8页 半导体学报(英文版)
关键词 二氧化锡 多晶 气敏机理 氧离子 Polycrystal SnO_2 Sensing mechanism Oxygen ion Trap potential model
  • 相关文献

参考文献2

  • 1张维新,全国敏感元器件及传感器应用技术交流会,1985年
  • 2团体著者,国外最新传感器资料,1985年

同被引文献48

引证文献10

二级引证文献44

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