摘要
三、使用ALS/AS电路应注意的问题因为ALS/AS电路的输出驱动能力、开关速度等性能与LS/S电路不同,所以在设计中要注意的问题也不同.从图9(见上期)可以看到,负载电容为50PF时,LS00的t_f约为9ns, ASOO的t_f约为3ns,是LSoo的三分之一.ALS/AS电路具有这么高的速度,不但与ALS/AS电路内部晶体管的开关性能有关,而且也与其驱动能力变大有关.速度快、驱动能力强,对于这类器件来说性能提高了.但从干扰源的角度着,它又是一个比LS/S类电路更大的干扰源,干扰电平大,而且含有高次谐波、(三次高频谐波可超过100M_HZ),而这些又是我们所不希望的.
出处
《电光与控制》
1989年第1期46-48,共3页
Electronics Optics & Control
