SIMOX埋层的电离辐照及退火研究

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摘要将Ｆ＾＋注入ＳＩＭＯＸ材料，剥去皮表硅并制成电容，经＾６０Ｃｏ－γ辐照试验和退火试验，并采用高频Ｃ－Ｖ方法分析表明，注Ｆ＾＋能有效地提高绝缘埋层的抗电离辐照性能。

作者严荣良竺士炀

出处《上海微电子技术和应用》 1995年第3期1-4,共4页

关键词 CMOS/SIMOX埋层电离辐照退火 SOI技术

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上海微电子技术和应用

1995年第3期

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