硅槽刻蚀工艺研究

集成电路的发展使硅槽的应用越来越广泛，如硅槽隔离和硅槽电容等等，它们将使器件的性能得到很好的改善。我们侧重研究了以Cl2和SF6为腐蚀剂的硅槽刻蚀工艺，对气体流量、射频功率和反应压力以及电极温度等工艺参数的变化对刻蚀结果──蚀速及Si与SiO2选择比的影响进行了研究，同时还对研究过程中产生的异常现象，如“黑硅”现象等进行了分析，为以后开展更深入的研究及实际应用打下一个较为扎实的基础。