MMST工程的光刻技术

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摘要 MMST工程的光刻技术关键取决于i线（365nm）和深紫外（248nm）激光光学重复步进曝光机。大多数的图形层制作均使用传统的用湿法显影的抗蚀剂，而对关键的栅和金属层则采用“DESIRE”工艺，使用表面成象，干法显影的抗蚀剂。倘若能对光刻工艺的各个关键步骤实行实时监控，则可望实现光刻完全自动化。

作者 GeneFuller 钱叶华

出处《微电子技术》 1995年第3期26-30,37,共6页 Microelectronic Technology

关键词 MMST工程光刻技术

分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]

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