PECVD Si_xN_y应力的研究

氨化硅的应力严重制约着它的应用，本文较详细地介绍了PECVC出xN，薄膜应力的大小与制备工艺及条件的关系，从而揭示了能有效地抑制Si_xN_y应力的工艺途径。文中给出了大量测试数据，并提供了许多实物照片。