半导体生产中硬质掩蔽层(SiN,SiN/Poly)的去除

半导体生产对掩蔽层有强烈的依赖关系。因为在许多步骤中，掩蔽层对其下层结构有保护作用。大家熟悉的光刻软质膜基本是由有机材料组成的。至于硬质掩蔽层，象局部氧化用（LOCOS）SiN层，是无机的，它可承受更加恶劣的工艺环境。同样，它们要求用专门的去除技术，本文讨论了湿法和干法硬质掩蔽层的去除方法。